[发明专利]非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种能够进一步改善表面粗糙度的精度、且能够应对接触孔、线等的微细化的进展的非晶体硅膜的成膜方法。在处理室内连续进行下述工序将基板1收容在处理室内的工序；对处理室内的基板进行加热的工序；对处理室内进行排气，调整压力的工序；在氨基硅烷系气体不热分解的条件下，向处理室内供给氨基硅烷系气体，氨基硅烷系气体被吸附而在基板上形成晶种层3的工序；在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下，向处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在晶种层3上形成非晶体硅膜4的工序；以及形成晶种层3的工序和形成非晶体硅膜4的工序。

主权项

一种非晶体硅膜的形成方法，其特征在于，在处理室内连续进行下述工序：将基板收容在上述处理室内的工序；对上述处理室内的上述基板进行加热的工序；对上述处理室内进行排气来调整压力的工序；在氨基硅烷系气体不热分解的条件下，向上述处理室内供给上述氨基硅烷系气体，上述氨基硅烷系气体被吸附而在上述基板上形成晶种层的工序；以及在不含氨基的硅烷系气体热分解的条件下，向上述处理室内供给不含氨基的硅烷系气体而在上述晶种层上形成非晶体硅膜的工序。