[发明专利]单晶金刚石的制造方法在审
| 申请号： | 201410478813.1 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104451868A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 野口仁;竹内大辅;山崎聪;小仓政彦;加藤宙光;牧野俊晴;大串秀世 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶金刚石的制造方法，其为将通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板置于基台上而追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量追加堆积上述气相合成单晶金刚石之前的所述单晶金刚石晶种基板的平坦度的工序；(2)基于所述平坦度的测量结果，判定是否进行所述单晶金刚石晶种基板的平坦化的工序；(3)以下2个工序中之一：(3a)基于所述判定，对于需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积所述气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于所述判定，对于不需要所述平坦化的所述单晶金刚石晶种基板，不进行平坦化而追加堆积所述气相合成单晶金刚石的工序。
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