[发明专利]适用于高基频MESA晶片测试的装置及测试方法有效
| 申请号： | 201410481612.7 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104267256B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李坡 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R23/02 | 分类号： | G01R23/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种适用于高基频MESA晶片的测试装置及测试方法，其结构包括A、B二个金属电极（测试电极），其中B金属电极2接触并支撑水晶片的待测试MESA区域，而A金属电极1与水晶片的MESA区域之间存有一个5~10μm的悬浮缝隙，在A、B两个金属电极之间串接一个电场、CNA300型网络分析仪。本发明的优点：“悬浮”感应的方式来测试高基频MESA水晶片的频率，以避免传统的“接触式”测试的方法带来的水晶片破损问题，测试过程，可以最大程度的避免在测试过程中所造成的水晶片物理损坏。用CNA300型网络分析仪监控水晶片的振动频率，以测得水晶片的真实频率；可广泛应用于高基频MESA晶片的测试过程。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 基频 mesa 晶片 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
适用于高基频MESA晶片的测试装置，其特征是包括A、B二个金属电极，即测试电极，其中A金属电极在MESA晶片的MESA区域的一侧, B金属电极在MESA晶片的MESA区域的另一侧并支撑MESA晶片的待测试MESA区域，A金属电极与MESA晶片的MESA区域之间存有一个5~10μm的悬浮缝隙，在A金属电极、B金属电极的两个金属电极之间通过CNA300型网络分析仪施加一个可变电场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫晶体科技有限公司，未经南京中电熊猫晶体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410481612.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
