[发明专利]具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法。该具有隔离漏极的金氧半导体装置包括：具有第一导电类型的半导体基板；具有第二导电类型的第一阱区，埋设于半导体基板的第一部分内；具有第一导电类型的第二阱区，设置于半导体基板的第二部分内，覆盖于第一阱区上；具有第二导电类型的第三阱区，设置于半导体基板的第三部分内，覆盖于第一阱区上；具有第一导电类型的第四阱区，设置于位于第一阱区与第三阱区之间的半导体基板的第四部分内；栅极堆叠，设置于半导体基板上；源极区，设置于第二阱区内；以及漏极区，设置于第三阱区内。本发明所提供的具有隔离漏极的金氧半导体装置及其制造方法，可避免不期望的基板注入电流。

主权项

1.一种具有隔离漏极的金氧半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有第一导电类型；第一阱区，埋设于该半导体基板的第一部分内，具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；第二阱区以及另一第二阱区，设置于该半导体基板的第二部分内，覆盖于该第一阱区之上且具有该第一导电类型；第三阱区，设置于该半导体基板的第三部分内，覆盖于该第一阱区之上且具有该第二导电类型，其中该第三阱区位于该第二阱区与该另一第二阱区之间；第四阱区，设置于该半导体基板的位于该第一阱区与该第三阱区之间的第四部分内，具有该第一导电类型，其中该第四阱区位于该第二阱区与该另一第二阱区之间；栅极堆叠，设置于该半导体基板上，覆盖该第二阱区与该第三阱区的一部分；源极区，设置于该第二阱区的一部分内，具有该第二导电类型；以及漏极区，设置于该第三阱区的一部分内，具有该第二导电类型；其中，该第四阱区作为漏极隔离结构。