[发明专利]TFT阵列基板、TFT阵列基板的制作方法及显示装置

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板。其包括形成于基板上的栅极金属层、形成于栅极金属层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的半导体层、包括源极金属层和漏极金属层的源/漏极金属层、与漏极金属层直接接触的像素电极、形成于源/漏极金属层及像素电极上的钝化层、形成于钝化层上的平坦层及形成于平坦层上的公共电极。本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法及显示装置。本发明的TFT阵列基板、其制作方法及显示装置的公共电极未完全覆盖像素电极，公共电极包括覆盖像素电极边缘的外框及连接外框的相对两边的横梁，从而增大了存储电容，能减小漏电，提高穿透率。

主权项

一种TFT阵列基板，其特征在于，其包括：栅极金属层，形成于基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极金属层上；半导体层，形成于所述栅极绝缘层上；源/漏极金属层，包括源极金属层和漏极金属层；像素电极，与所述漏极金属层直接接触；钝化层，形成于所述源/漏极金属层及所述像素电极上；平坦层，形成于所述钝化层上；及公共电极，形成于所述平坦层上；其中，所述公共电极未完全覆盖所述像素电极，所述公共电极包括覆盖所述像素电极边缘的外框及连接所述外框的相对两边的横梁；所述平坦层包括环绕部及间隔部，所述平坦层的环绕部环绕所述像素电极的边缘设置，且位于所述源/漏极金属层的上方，所述平坦层的间隔部位于所述像素电极的上方，且位于所述公共电极的横梁的下方。