[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201410482526.8 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104517871B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 藤原友则;柴山宣之;吉田幸史 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制在表面周缘部的处理中使用的处理液进入器件区域的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(1)具有基板保持部;周缘部用喷出头(51),向被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部喷出流体。周缘部用喷出头(51)具有多个喷嘴(50a~50d)和一体支撑多个喷嘴(50a~50d)的支撑部(500)。多个喷嘴(50a~50d)包括向表面周缘部喷出处理液的处理液喷嘴(50a、50b、50c)和向表面周缘部喷出气体的气体喷嘴(50d),气体喷嘴(50d)相比处理液喷嘴(50a、50b、50c)配置在基板(9)的旋转方向的上游侧。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持部,其将基板保持为水平姿势,并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转;周缘部用喷出头,其向被所述基板保持部保持的基板的表面周缘部喷出流体;所述周缘部用喷出头具有:多个喷嘴,支撑部,其一体支撑多个所述喷嘴;多个所述喷嘴包括:处理液喷嘴,其向所述表面周缘部喷出处理液,气体喷嘴,其向所述表面周缘部喷出气体来除去所述表面周缘部上的处理液;所述气体喷嘴相比所述处理液喷嘴配置在所述基板的旋转方向的上游侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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