[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法

摘要

本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法，属于激光晶体制备领域。该生长装置包括坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、穿过保温筒伸入坩埚内部的籽晶杆；保温筒的底部设有通孔，用于向坩埚底部通入氮气；坩埚为钨坩埚或者钼坩埚；保温筒的材质为掺碳的氮化硼陶瓷。通过选用钨坩埚或者钼坩埚降低生产成本；通过掺碳的氮化硼陶瓷保温筒对其进行保温，防止钨或者钼在高温下氧化，且进一步降低生产成本；通过在坩埚和保温筒的底部设有通孔，以在降温过程中向坩埚底部通入流动的冷却的高纯氮气，利用风冷在坩埚底部形成过冷区，提高坩埚的使用寿命，并降低生长周期。

主权项

掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置，包括：坩埚、设置在所述坩埚外部的保温筒、设置在所述保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过所述保温筒伸入所述坩埚内部的籽晶杆；所述保温筒的底部设有通孔，所述通孔用于向所述坩埚底部通入氮气；所述保温筒的顶部的中间位置设置有用于穿过所述籽晶杆的第一圆孔，所述第一圆孔的直径为90mm‑140mm；所述坩埚为钨坩埚或者钼坩埚；所述保温筒的材质为掺碳的氮化硼陶瓷。