[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410483649.3 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105480937B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底包括微机电区域，微机电区域上具有器件，器件包括微机电器件及电感；提供盖板，在盖板上形成凹槽；在凹槽底部表面形成分散的凸起部；在凹槽内壁表面以及盖板表面形成吸附层，吸附层覆盖所述凸起部；去除盖板表面以及凹槽部分内壁表面的吸附层；将所述盖板与半导体衬底进行键合，所述盖板凹槽与半导体衬底构成密闭空腔，且所述半导体衬底的微机电区域上的器件位于密闭空腔内，剩余的吸附层位于微机电器件正上方的凹槽底部表面及靠近微机电器件一侧的凹槽侧壁表面。所述方法可以提高微机电器件的品质因素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括微机电区域，所述微机电区域上具有器件，所述器件包括微机电器件及电感；提供盖板，在所述盖板上形成凹槽；在所述凹槽底部表面形成分散的凸起部；在所述凹槽内壁表面以及盖板表面形成吸附层，所述吸附层覆盖所述凸起部；去除盖板表面以及凹槽部分内壁表面的吸附层；将所述盖板与半导体衬底进行键合，所述盖板凹槽与半导体衬底构成密闭空腔，且所述半导体衬底的微机电区域上的器件位于所述密闭空腔内，剩余的吸附层位于微机电器件正上方的凹槽底部表面及靠近微机电器件一侧的凹槽侧壁表面。
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