[发明专利]层压体、成像元件封装件、成像装置和电子装置有效
申请号: | 201410484116.7 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN104516032B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 田泽洋志;林部和弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B1/11 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及层压体、成像元件封装件、成像装置和电子装置。提供了一种层压体,包括:基板和结构层,结构层设置在基板上并具有抗反射功能,其中,结构层包括多个结构体以及设置在多个结构体和基板之间的中间层,并且其中,中间层满足下面的关系式(1)。(2π/λ)·n(λ)·|d‑d0|<π(1)(其中,λ表示为了减少反射的目的的光的波长,n(λ)表示当波长为|时中间层的折射率,d0表示中间层在中心点的厚度,并且d表示中间层在任意点的厚度)。 | ||
搜索关键词: | 层压 成像 元件 封装 装置 电子 | ||
【主权项】:
1.一种层压体,包括:基板;以及结构层,设置在所述基板上并具有抗反射功能,其中,所述结构层包括:多个结构体,以及中间层,设置在多个所述结构体与所述基板之间,并且其中,所述中间层满足下面的关系式(1):(2π/λ)·n(λ)·|d‑d0|<π (1)其中,λ表示为了减少反射的目的的光的波长,n(λ)表示当所述波长为λ时的所述中间层的折射率,d0表示所述中间层在中心点处的厚度,并且d表示所述中间层在任意点处的厚度;其中,所述中间层被定义为在所述基板的表面和所述多个结构体中的相邻结构体之间的谷部最深位置之间,并且,其中,在所述基板的表面和所述谷部的最深位置之间,所述中间层的厚度在所述基板的表面方向上变化。
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