[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410484648.0 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105489652B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张永奎;赵治国;陆智勇;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；源漏区，在多个鳍片结构上、位于栅极堆叠结构沿第一方向两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在后栅工艺中对多晶半导体栅极掺杂后与两侧源漏区同步执行退火以驱动掺杂剂均匀分布，能有效提高对于掺杂多晶半导体栅极调节阈值电压的精度，以低成本抑制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向两侧的鳍片中和/或上形成掺杂的源漏区，假栅极堆叠结构下方的、源漏区之间的鳍片部分构成沟道区；在衬底上形成层间介质层，选择性刻蚀去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；在栅极沟槽中以及层间介质层顶面上依次沉积栅极绝缘层以及多晶半导体层；对多晶半导体层掺杂，以掺杂的多晶半导体层作为栅极导电层；执行激活退火，同时激活了源漏区以及栅极导电层中的掺杂剂，促使掺杂剂在栅极导电层中均匀分布。
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