[发明专利]一种接触孔界面处理方法有效
| 申请号： | 201410487085.0 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105514023B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 郭晓辉;黄家琦;柯其勇;彭军 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜怡;阚梓瑄 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触孔界面处理方法，包括：在数据线沉积于接触孔之前，对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理，去除有机残余物；进行氢气处理，去除源极界面、漏极界面和栅极界面的原生氧化物；以及进行氮气处理，在源极界面、漏极界面和栅极界面上形成保护层。使用本发明的接触孔界面处理方法对接触孔界面进行处理，避免了由于湿蚀刻而造成的不均，同时起到清洗、还原和保护的作用，可有效提高界面的均匀性，降低数据线与多晶硅之间的接触阻抗并防止数据线与金属栅极接触处腐蚀，此外，本发明的接触孔界面处理方法未使用氢氟酸，操作更安全、维护更便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 界面处理 数据线 漏极 源极 去除 有机残余物 原生氧化物 氮气处理 接触阻抗 金属栅极 氢气处理 栅极界面 保护层 多晶硅 接触处 均匀性 氢氟酸 湿蚀刻 未使用 沉积 还原 清洗 腐蚀 安全 维护 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔界面处理方法，包括：在数据线沉积于接触孔之前，对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理，去除有机残余物；进行氢气处理，去除所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上的原生氧化物；以及进行氮气处理，在所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上形成保护层，其中利用极紫外光清洗装置对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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