[发明专利]高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法有效
| 申请号： | 201410487446.1 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105467289B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法。该高电阻结构的原位温度检测装置包括：第一二极管，包括第一正极端子和第一负极端子；第二二极管，包括第二正极端子和第二负极端子；一个或多个二极管组，包括一个或多个二极管，该二极管组反向设置在第一负极端子与第二正极端子之间。二极管组用来感应互联结构中高电阻结构辐射出的热量，由于二极管的漏电流与温度之间具有一定的关系，因此通过检测在不同温度下、相同电压下通过二极管组的电流大小，再根据电流与温度之间的关系得到高电阻结构的温度，解决了现有技术中难以准确测定高电阻结构温度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 结构 原位 温度 检测 装置 芯片 失效 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻结构的原位温度检测装置，其特征在于，包括：第一二极管，包括第一正极端子和第一负极端子；第二二极管，包括第二正极端子和第二负极端子；一个或多个二极管组，各所述二极管组分别包括一个或多个二极管，各所述二极管组反向设置在所述第一负极端子与第二正极端子之间。
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