[发明专利]铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410487739.X | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104362139B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张飞虎;冷江华;赵龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法，通过三步沉积钽或氮化钽薄膜，在接触孔底部形成钽‑钽或钽‑氮化钽‑钽结构、在侧壁形成氮化钽‑钽结构，在接触孔底部处与下层金属的结合力更强，能够有效减少下层铜线与扩散阻挡层应力，提高抗应力迁移和电迁移的能力，大大提高集成电路的可靠性；在接触孔侧壁处具有更好的机械强度，可很好地弥补超低介电质在机械强度上的不足，提高产品质量和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 扩散 阻挡 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连的扩散阻挡层，用于接触孔的铜集成应用中，该接触孔形成于低介电常数介质层中，所述低介电常数介质层位于下层铜线层之上，该接触孔的底部和侧壁形成有扩散阻挡层，其特征在于，该扩散阻挡层包括：第一钽层，覆盖于该接触孔的底部；氮化钽层，覆盖于该接触孔的侧壁；以及第二钽层，覆盖于该第一钽层和氮化钽层之上。
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