[发明专利]IGBT器件的栅极结构

摘要

本发明公开了一种IGBT器件的栅极结构，IGBT器件由多个IGBT单元结构并联形成，各IGBT单元结构都包括一个栅极单元；各栅极单元采用网状结构的方式并联形成一组以上栅极并联结构，各栅极并联结构并联形成栅极结构；各栅极并联结构中的各栅极单元都呈条形且平行排列且作为栅极并联结构的最底级，相邻的多个栅极单元并联在一起作为最底级的上一级的子单元，栅极并联结构的各对应级的相邻的多个子单元并联在一起作为各对应级的上一级的子单元；栅极结构的所有栅极并联结构的最顶级连接在一起并和一栅极焊盘连接。本发明能使栅极电阻的调整简单、且能改善器件的均匀性以及改善器件的温升特性。

主权项

一种IGBT器件的栅极结构，其特征在于：IGBT器件由多个IGBT单元结构并联形成，各所述IGBT单元结构都包括一个栅极单元；在俯视面上，各所述栅极单元排列成一组或多组栅极并联结构，各所述栅极单元采用网状结构的方式并联形成各所述栅极并联结构，各所述栅极并联结构并联形成所述IGBT器件的栅极结构；各所述栅极并联结构中的各所述栅极单元都呈条形且平行排列且作为所述栅极并联结构的最底级，相邻的多个所述栅极单元并联在一起作为所述最底级的上一级的子单元，所述栅极并联结构的各对应级的相邻的多个子单元并联在一起作为各对应级的上一级的子单元；所述栅极结构的所有所述栅极并联结构的最顶级连接在一起并和一栅极焊盘连接；通过各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构调节所述栅极结构的电阻，各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构的串联电阻越大、所述栅极结构的电阻越大；各所述栅极单元以及各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构都由多晶硅组成，且各所述栅极单元以及各所述栅极并联结构的最顶级和最底级之间的连接结构的多晶硅为位于同一层版图中且工艺条件相同，以易于调整所述栅极结构的电阻。