[发明专利]3DNAND闪存的形成方法

摘要

本发明提出了一种3D NAND闪存的形成方法，在第一刻蚀后，增加第二刻蚀去除阵列串侧壁的多余的导体层，且侧向蚀刻存储层形成存储层凹槽，之后形成阻挡介质层，以削弱存储层之间的扩散效应，从而避免存储层之间出现互联现象，此外，在隔离介质层被研磨之后，增加快速热退火工艺能够修复刻蚀中等离子体引入的损伤。

主权项

一种3D NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有多个阵列串，相邻的阵列串之间设有沟槽，所述沟槽暴露出所述衬底，所述阵列串及衬底表面上覆盖有导体层；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述导体层，形成存储层；采用第二刻蚀工艺刻蚀所述存储层，形成存储层凹槽；在所述阵列串、衬底及存储层凹槽的表面形成阻挡介质层；采用第三刻蚀工艺刻蚀所述阻挡介质层，暴露出所述衬底的表面及阵列串的顶部；在所述阵列串的顶部及沟槽内形成隔离介质层；研磨所述隔离介质层，暴露出所述阵列串的顶部；进行快速退火工艺。