[发明专利]半导体装置和测试方法有效

专利信息
申请号: 201410491839.X 申请日: 2014-09-23
公开(公告)号: CN104517869B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 冨田学;福崎勇三;小川和久 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;曹正建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了半导体装置和测试方法,以便能够精确地检测因错位而造成的瑕疵。该半导体装置包括:基板,所述基板由半导体制成;以及器件群,所述器件群被形成于所述基板上并且由多个第一电容器构成。在该半导体装置中,所述器件群包括一个或多个第一导电层且包括第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层被设置成彼此部分地重叠或者彼此整体地重叠,且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间。所述第一导电层包括沿着一个方向延伸的边缘。所述第二导电层包括具有大体上彼此相同的形状的多个子导电层,并且所述多个子导电层被布置在相对于所述第一导电层的所述边缘而相对不同的位置处。
搜索关键词: 半导体 装置 测试 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:基板,所述基板由半导体制成;以及器件群,所述器件群被形成于所述基板上,且由多个第一电容器构成,其中所述器件群包括一个或多个第一导电层且包括第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层被设置成彼此部分地重叠或者彼此整体地重叠,且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间,所述第一导电层包括沿着一个方向延伸的边缘,所述第二导电层包括多个子导电层,所述多个子导电层具有大体上彼此相同的形状,并且所述多个子导电层被布置在相对于所述第一导电层的所述边缘而相对不同的位置处,所述半导体装置还包括:检测电路,所述检测电路被构造成基于所述器件群中的电容来检测所述第一导电层与所述第二导电层之间的错位量;第二电容器,所述第二电容器被设置于所述基板上;以及校正电路,所述校正电路被构造成基于由所述检测电路检测出的所述错位量来校正所述第二电容器的电容。
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