[发明专利]半导体装置和测试方法有效
申请号: | 201410491839.X | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN104517869B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 冨田学;福崎勇三;小川和久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了半导体装置和测试方法,以便能够精确地检测因错位而造成的瑕疵。该半导体装置包括:基板,所述基板由半导体制成;以及器件群,所述器件群被形成于所述基板上并且由多个第一电容器构成。在该半导体装置中,所述器件群包括一个或多个第一导电层且包括第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层被设置成彼此部分地重叠或者彼此整体地重叠,且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间。所述第一导电层包括沿着一个方向延伸的边缘。所述第二导电层包括具有大体上彼此相同的形状的多个子导电层,并且所述多个子导电层被布置在相对于所述第一导电层的所述边缘而相对不同的位置处。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:基板,所述基板由半导体制成;以及器件群,所述器件群被形成于所述基板上,且由多个第一电容器构成,其中所述器件群包括一个或多个第一导电层且包括第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层被设置成彼此部分地重叠或者彼此整体地重叠,且绝缘膜介于所述第一导电层与所述第二导电层之间,所述第一导电层包括沿着一个方向延伸的边缘,所述第二导电层包括多个子导电层,所述多个子导电层具有大体上彼此相同的形状,并且所述多个子导电层被布置在相对于所述第一导电层的所述边缘而相对不同的位置处,所述半导体装置还包括:检测电路,所述检测电路被构造成基于所述器件群中的电容来检测所述第一导电层与所述第二导电层之间的错位量;第二电容器,所述第二电容器被设置于所述基板上;以及校正电路,所述校正电路被构造成基于由所述检测电路检测出的所述错位量来校正所述第二电容器的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造