[发明专利]以石仙桃根状茎为外植体快速繁殖石仙桃的方法

摘要

本发明涉及一种繁殖石仙桃的方法，特别涉及一种以石仙桃根状茎为外植体快速繁殖石仙桃的方法，属于植物组织培养技术领域。一种以石仙桃根茎芽为外植体快速繁殖石仙桃的方法，所述的方法包括以下依序进行的步骤：(1)外植体的准备阶段：于每年11月至次年的4月采集石仙桃，除去假鳞茎，将根茎上带有根状茎的顶芽或腋芽作为外植体切下，去除根状茎上覆盖的老鳞片和根，备用；(2)无菌处理阶段；(3)初代培养阶段；(4)继代壮苗培养阶段；(5)生根培养阶段；本发明所提供的方法能有效提高石仙桃的繁殖效率，获得足量石仙桃再生植株，为其规模化生产应用奠定基础。

主权项

一种以石仙桃根茎芽为外植体快速繁殖石仙桃的方法，其特征在于：所述的方法包括以下依序进行的步骤：(1)外植体的准备阶段于每年11月至次年的4月采集石仙桃，除去假鳞茎，将根茎上带有根状茎的顶芽或腋芽作为外植体切下，去除根状茎上覆盖的老鳞片和根，备用；(2)无菌处理阶段，包括以下依序进行的步骤：①将步骤(1)中所准备的外植体先用清水冲洗干净，并去掉多余的根茎，使每个芽上仅保留2毫米以下的根茎；②接着转移到灭菌后的超净工作台上，用无菌水冲洗后，转入到无菌瓶内；③接着再用体积百分比浓度为70％‑75％的酒精灭菌2‑3分钟后，用无菌水冲洗；④之后倒入质量百分比浓度为0.05‑0.15％的升汞灭菌10‑16分钟；⑤最后再用无菌水冲洗后，放入盛有无菌滤纸的盘子里，将外植体上的顶芽或腋芽表面的水吸干，备用；(3)初代培养阶段将步骤(2)中无菌处理好的外植体，接种到初代培养基进行初代培养；培养环境温度为23±5℃，光照强度为2500‑3500Lux，光照周期为10‑14h/d，培养周期为70‑90天；所述初代培养基为：MS培养基+0.5‑1.0mg/L的NAA+3.0‑4.0mg/L的6‑BA+1‑3％的蔗糖+0.6‑1.0％的琼脂，pH值为5.8‑6.0；(4)继代壮苗培养阶段将步骤(3)中初代培养后萌发的小芽，接种到继代壮苗培养基中进行继代壮苗培养；培养环境温度为23±5℃，光照强度为2500‑3500Lux，光照周期为10‑14h/d，培养周期为70‑100天；所述继代壮苗培养基为：MS培养基+0.5‑1.0mg/L的NAA+0.5‑1.0mg/L的6‑BA+50‑100g/L的香蕉+1‑3％的蔗糖+0.6‑1.0％的琼脂，pH值为5.8‑6.0；(5)生根培养阶段将步骤(4)中继代壮苗培养后生长的小苗，接种到生根培养基中进行生根培养；培养环境温度为23±5℃，光照强度为2500‑3500Lux，光照周期为10‑14h/d，培养周期为70‑100天；所述生根培养基为：1/2MS培养基+0.3‑0.5mg/L的NAA+30‑100g/L的香蕉+0.3‑0.5g/L的活性炭+1‑3％的蔗糖+0.6‑1.0％的琼脂，pH值为5.8‑6.0。