[发明专利]一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法有效
| 申请号： | 201410493272.X | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104261886A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘桂武;赵三团;乔冠军;张相召;邵海成;徐紫薇 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B41/88 | 分类号： | C04B41/88 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷真空熔覆金属涂层的方法。主要步骤包括：金属混合粉末配置、膏剂制备、陶瓷表面涂覆和真空熔覆。其中金属混合粉末质量百分比组成为10~40%的Mo，15~40%的Ni（或Co），30~70%的Si；真空熔覆温度和时间分别为1250~1400℃，和10~30min。本发明可做为碳化硅与金属钎焊的过渡层的制备工艺，制备的涂层能显著改善金属与碳化硅间的润湿性能，降低或阻止碳化硅陶瓷与钎料在钎焊过程中的过度反应，从而提高陶瓷/金属钎焊的界面结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 真空 金属 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于步骤如下：1）将市售Mo、Ni和Co的一种和Si粉按一定质量百分比组成进行称重、混合，球磨制成金属混合粉末；2）将上述金属混合粉末烘干、过筛；3）取部分上述过筛好的金属混合粉末，加入有机粘结剂，充分搅拌后得到均匀膏剂；4）将膏剂覆盖在清洁处理的碳化硅陶瓷表面上；5）将涂覆的碳化硅陶瓷片，置于真空度≤4×10‑2Pa的真空炉，以3~10℃/min加热至一定温度，保温一定时间，使金属混合粉末完全熔覆在陶瓷表面，再以3~5℃/min冷却至室温，形成致密的金属涂层。
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