[发明专利]复合硅基材料及其制法和应用有效

专利信息
申请号: 201410493807.3 申请日: 2014-09-24
公开(公告)号: CN104241410B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 叶继春;孙一灵;高平奇;潘淼;韩灿 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L31/028 分类号: H01L31/028
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司31266 代理人: 崔佳佳,马莉华
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种复合硅基材料及其制法和应用。具体的,本发明提供了一种复合硅基材料,该材料包括p型硅基底;位于所述p型硅基底至少一个主表面的带负电的钝化膜;所述钝化膜包括至少一层带负电的掺杂态氧化硅层,且所述掺杂态氧化硅层中使所述氧化硅层带负电的掺杂元素的含量为0.01~10%,按所述掺杂元素所在掺杂态氧化硅层的总原子数计。本发明的复合硅基材料含带大量负电荷的钝化膜,钝化膜对硅基底可起到优异的钝化效果,且该材料的制备成本低廉,在应用于太阳电池时能有效提高太阳的电池的转化效率。
搜索关键词: 复合 基材 料及 制法 应用
【主权项】:
一种复合硅基材料,其特征在于,所述复合硅基材料包括:p型硅基底;位于所述p型硅基底至少一个主表面的带负电的钝化膜;所述钝化膜包括至少一层带负电的掺杂态氧化硅层,且所述掺杂态氧化硅层中使所述氧化硅层带负电的掺杂元素的含量为0.01~10%,按所述掺杂元素所在掺杂态氧化硅层的总原子数计;且所述钝化膜总体带负电量,且所述钝化膜所带的负电荷密度为1012~1013cm‑2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410493807.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top