[发明专利]复合硅基材料及其制法和应用有效
申请号: | 201410493807.3 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104241410B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 叶继春;孙一灵;高平奇;潘淼;韩灿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人: | 崔佳佳,马莉华 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种复合硅基材料及其制法和应用。具体的,本发明提供了一种复合硅基材料,该材料包括p型硅基底;位于所述p型硅基底至少一个主表面的带负电的钝化膜;所述钝化膜包括至少一层带负电的掺杂态氧化硅层,且所述掺杂态氧化硅层中使所述氧化硅层带负电的掺杂元素的含量为0.01~10%,按所述掺杂元素所在掺杂态氧化硅层的总原子数计。本发明的复合硅基材料含带大量负电荷的钝化膜,钝化膜对硅基底可起到优异的钝化效果,且该材料的制备成本低廉,在应用于太阳电池时能有效提高太阳的电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 复合 基材 料及 制法 应用 | ||
【主权项】:
一种复合硅基材料,其特征在于,所述复合硅基材料包括:p型硅基底;位于所述p型硅基底至少一个主表面的带负电的钝化膜;所述钝化膜包括至少一层带负电的掺杂态氧化硅层,且所述掺杂态氧化硅层中使所述氧化硅层带负电的掺杂元素的含量为0.01~10%,按所述掺杂元素所在掺杂态氧化硅层的总原子数计;且所述钝化膜总体带负电量,且所述钝化膜所带的负电荷密度为1012~1013cm‑2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的