[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410494486.9 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105514264B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 康劲;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RRAM及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供下电极；在所述下电极上形成介电层；在所述介电层中形成沟槽/通孔，所述沟槽/通孔底部暴露出所述下电极；在所述沟槽/通孔中依次形成阻挡层、阻变材料层和牺牲层；去除部分所述牺牲层；去除所述阻变材料层和所述阻挡层未被剩余的牺牲层覆盖的部分；去除所述剩余的牺牲层；以及在所述沟槽/通孔中形成上电极。根据本发明提供的RRAM的制备方法，在介电层和阻变材料层之间加入一阻挡层，可以避免介电层中的氧与阻变材料层进行交换，从而避免阻变材料层的阻变特性发生改变。因此，本发明提供的方法可以改善RRAM器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变材料层 介电层 牺牲层 通孔 下电极 阻挡层 去除 制备 电子装置 阻变存储器 阻变特性 电极 暴露 覆盖 交换 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制备方法，包括：提供下电极；在所述下电极上形成介电层；在所述介电层中形成沟槽/通孔，所述沟槽/通孔底部暴露出所述下电极；在所述沟槽/通孔中依次形成阻挡层、阻变材料层和牺牲层；去除部分所述牺牲层；去除所述阻变材料层和所述阻挡层未被剩余的牺牲层覆盖的部分；去除所述剩余的牺牲层；以及在所述沟槽/通孔中形成上电极。
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