[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体模块。根据本发明的一个示例该功率半导体模块具有电路板，该电路板具有布置在电路板的顶面上的结构化的第一金属结构和至少一个第二金属结构。在电路板的顶面上布置至少一个无壳体的半导体芯片，半导体芯片具有多个接触电极，这些接触电极又通过焊线与第一金属结构的相应的接触片在电路板的顶面上相连接。接触电极和相应的接触片的第一部分在运行时是高电压接通的。所有高电压接通的接触片通过内层连接与第二金属结构导电地连接。绝缘层完全覆盖芯片和围绕该芯片的电路板的分隔区域，其中所有高电压接通的接触片和内层连接被该绝缘层完全覆盖。多个接触电极和相应的接触片的第二部分在运行时处于低电压。

主权项

功率半导体模块（1），其包括：电路板（10），所述电路板具有布置在所述电路板的顶面（10o）上的结构化的第一金属结构（12）和至少一个第二金属结构，所述第二金属结构在垂直的方向处于所述第一金属结构的下方、平行于所述第一金属结构布置并与所述第一金属结构绝缘；至少一个无壳体的半导体芯片（20），所述半导体芯片布置在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上，具有多个接触电极（22），所述多个接触电极（22）通过多条焊线（14）与所述第一金属结构（12）的相应的接触片（23）在所述电路板（10）的所述顶面（10o）上相连接，其中，所述多个接触电极（22）和所述相应的接触片（23）的第一部分在运行时为高电压导通的，并且其中，高电压导通的接触片通过内层连接与所述第二金属结构导电地连接；绝缘层（30），所述绝缘层（30）完全覆盖所述芯片（20）和围绕所述芯片（20）的所述电路板（10）的分隔区域（31）；其中，所述高电压导通的接触片（23）和所述内层连接被所述绝缘层（30）完全覆盖；并且其中，所述多个接触电极（22）和所述相应的接触片（23’）的第二部分在运行时处于低电压。