[发明专利]金属表面缺陷的处理方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属表面缺陷的处理方法，通过在非Pad区域表面上覆盖一掩膜层，并采用高能量的正离子轰击于Pad区域中的缺陷晶体使其变成晶体碎片，之后移除掩膜层并进行湿法清洗工艺，以完全去除缺陷晶体，同时形成一钝化层保护Pad区域。通过本发明的技术方案可以完全去除Pad区域表面的缺陷晶体，降低了产品报废的风险，极大的提高了产品的生产率，增强了工艺流程的可控性。

主权项

一种金属表面缺陷的处理方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构的表面设有Pad区域和非Pad区域，所述Pad区域的上表面具有缺陷晶体；对该所述半导体结构的上表面覆盖一掩膜层，于刻蚀去除部分所述掩膜层后，所述Pad区域表面完全暴露，未被刻蚀的所述掩膜层覆盖于非优化处理的所述非Pad区域表面，对所述Pad区域的上表面进行干法处理，以将所述缺陷晶体转变为晶体碎片；去除所述掩膜层，并对所述半导体结构进行湿法清洗处理，以去除所述晶体碎片；对所述Pad区域的上表面进行钝化处理，以形成一层钝化层。