[发明专利]横向高压半导体器件的耐高压结构

摘要

本发明实施例提供了一种横向高压半导体器件的耐高压结构。该耐高压结构包括：第一导电类型的半导体衬底、第二导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区、低压端、高压端、场氧化层、第一多晶硅、和/或第一金属以及介质层。本发明实施例通过提高半导体中同一种掺杂元素的掺杂浓度，降低了耐高压结构的导通电阻，同时通过第二掺杂区指向第一多晶硅和/或第一金属的垂直方向的电力线，以及由第一多晶硅和/或第一金属指向第一掺杂区的垂直方向的电力线，使耐高压结构内部整体的电场分布较均匀，提高了耐高压结构的击穿电压，同时优化了耐高压结构的击穿电压与导通电阻。

主权项

1.一种横向高压半导体器件的耐高压结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区和第一导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均位于所述半导体衬底的表层，且所述第一掺杂区位于所述表层中部，所述第三掺杂区和所述第二掺杂区分别位于所述第一掺杂区的两侧，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度；低压端，与所述第三掺杂区相连；高压端，与所述第二掺杂区相连；场氧化层，位于所述低压端和所述高压端之间、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的上表面；第一多晶硅，所述第一多晶硅位于所述场氧化层的上表面，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的交界面位于所述第一多晶硅的覆盖范围内；和/或第一金属，所述第一金属位于介质层的上表面，所述介质层位于所述场氧化层、所述高压端和所述低压端的上表面，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的交界面位于所述第一金属的覆盖范围内；其中，所述第一多晶硅和所述第一金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度，且分别在2～10微米范围内；还包括：第二导电类型的第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的下方，所述第四掺杂区的横向宽度大于所述第二掺杂区的横向宽度、小于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的横向宽度之和；所述第四掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；还包括：第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述场氧化层的上表面，所述第四掺杂区靠近所述低压端的端面位于所述第二多晶硅的覆盖范围内；和/或第二金属，所述第二金属位于所述介质层的上表面，所述第四掺杂区靠近所述低压端的端面位于所述第二金属的覆盖范围内；其中，所述第二多晶硅和所述第二金属的横向宽度均小于所述场氧化层的横向宽度，且分别在2～10微米范围内；所述第一多晶硅和所述第二多晶硅不连接任何电位；所述第一金属和所述第二金属不连接任何电位。