[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极位于有源层图案的上方，且源电极和漏电极通过绝缘结构中的过孔与有源层图案电性接触，并在制作源电极和漏电极之前，通过绝缘结构中的过孔对有源层图案进行离子注入，形成离子注入区，从而可以修复形成过孔的刻蚀工艺对有源层图案表面的破坏，改善了源电极、漏电极与有源层图案的金半电性接触性能，提高了薄膜晶体管的电学特性，保证了显示装置的显示品质。

主权项

一种阵列基板的制作方法，包括形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：在基板上形成有源层图案；在所述有源层图案上形成绝缘结构；在所述绝缘结构中形成第一过孔，所述第一过孔延伸至所述有源层图案中；通过所述第一过孔对有源层图案进行离子注入，形成离子注入区，所述离子注入区位于有源层图案中；在所述绝缘结构上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区的表面接触，从而与有源层图案电性接触；所述制作方法还包括形成存储电容的步骤；具体在所述基板上形成多晶硅膜层，对所述多晶硅膜层进行构图工艺，形成包括有源层图案和存储电容的第一电极的图案；对所述有源层图案除沟道区域以外的区域进行离子注入，形成第一掺杂多晶硅有源层，以及对第一电极的图案进行离子注入，形成第二掺杂多晶硅有源层，作为存储电容的第一电极；在所述有源层图案和第一电极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括栅电极和存储电容的第二电极的图案；在所述栅电极和第二电极上形成层间绝缘层；形成贯穿所述栅绝缘层和层间绝缘层的第一过孔，所述第一过孔延伸至所述第一掺杂多晶硅有源层中；通过所述第一过孔对所述第一掺杂多晶硅有源层进行离子注入，形成离子注入区；在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述第一过孔与离子注入区的表面接触，进而与第一掺杂多晶硅有源层电性接触。