[发明专利]一种LED光子晶体结构的单元图形及其使用方法

摘要

本发明公开一种光子晶体工艺层的光刻拼接方法，其特征在于，包括：步骤一、定义一光子晶体结构图形特征，所述光子晶体结构图形特征为一距图形中心间距均为s，内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R；步骤二、根据所述光子晶体结构图形特征形成以光子晶体结构；步骤三、在光子晶体结构中提取六边形结构作为单元图形；步骤四、将含所述单元图形的掩模图像作为曝光场曝光视场区域。本发明还公开了一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，一种LED光子晶体工艺层的制作方法以及一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版的制作方法。

主权项

1.一种包含光子晶体结构的单元图形的掩模版，其特征在于，所述光子晶体结构的单元图形包括光子晶体结构图形，所述光子晶体结构图形特征为内圈为正六边形，外圈为正十二边形的图形结构，所述内圈和所述外圈的边长均为s，其中s大于两倍投影光刻机最小分辨率R。