[发明专利]CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410499155.4 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104332404B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 制造 双极型 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P型衬底上形成器件有源区；二.在有源区形成一N阱及两P阱，N阱的两侧分别邻接一P阱；三.在两P阱上分别形成一P重掺杂区作为集电区，在N阱的中部上形成一P重掺杂区作为发射区，在发射区两侧的N阱上分别形成一N重掺杂区作为基区；四.在硅片表面形成金属硅化反应阻挡薄膜；五.去除基区和集电区处的金属硅化反应阻挡薄膜；六.在硅片表面淀积金属薄膜，在基区、集电区形成金属硅化物；七.去除硅片表面未反应的金属薄膜；八.在硅片表面形成绝缘介质层，并形成基区、集电区及发射区的接触孔；基区及集电区的接触孔连通到金属硅化物；发射区的接触孔直接连通到发射区；九.进行双极型晶体管的后续制造工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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