[发明专利]一种提高清洗效率的方法在审
申请号: | 201410499431.7 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN105448659A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 陈林;李广宁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高机台清洗效率的方法,包括以下步骤:提供一机台,所述机台包括有一腔室;在所述反应腔室内通入第一气体的同时,通入含O等离子体;通入惰性气体,以提升腔室内气体均匀性;通入第二气体,并进行多次充气和抽气的循环处理;通入NxHy气体。本发明在提升清洗效率的同时还提高了晶圆的良率,同时制程变动较小,实现成本较低,提高了经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 清洗 效率 方法 | ||
【主权项】:
一种提高机台清洗效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一机台,所述机台包括有一腔室;在所述反应腔室内通入第一气体的同时,通入含氧等离子体;通入惰性气体,以提升腔室内气体均匀性;通入第二气体,并进行多次充气和抽气的循环处理;通入NxHy气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造