[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法及薄膜晶体管制造方法在审
| 申请号： | 201410499658.1 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104241140A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 呂明仁;钟尚骅;吴建宏;彭思君 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;郑特强 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种形成多晶硅薄膜的方法及应用该形成多晶硅薄膜的方法的薄膜晶体管制造方法。形成多晶硅薄膜的方法包括：步骤10：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；步骤20：进行激光退火工艺，使用激光照射所述第一非晶硅薄膜，将所述第一非晶硅薄膜加热熔化生成第一多晶硅薄膜；步骤30：用氩离子轰击生成的所述第一多晶硅薄膜的表面，生成第二非晶硅薄膜；以及步骤40：进行激光活化步骤，使所述第二非晶硅薄膜的晶格重置，形成第二多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 薄膜 方法 薄膜晶体管 制造 | ||
【主权项】：
一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：步骤A：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；步骤B：进行激光退火工艺，使所述第一非晶硅薄膜转化为第一多晶硅薄膜；步骤C：用氩离子轰击所述第一多晶硅薄膜的表面，使所述第一多晶硅薄膜转化为第二非晶硅薄膜；以及步骤D：进行活化步骤，形成第二多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
