[发明专利]一种基于光栅泰伯效应的检焦方法有效
| 申请号： | 201410500277.0 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104238284A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 朱咸昌;胡松;赵立新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化，完成光刻机硅片的高精度检焦：硅片位于焦面位置时，光栅成像波前为平面波前；硅片离焦时，其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单，具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光栅 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种基于光栅泰伯效应的检焦方法，其特征在于：检测系统由光源(1)、光束准直扩束系统(2)、第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统、被测硅片(3)、衍射光栅(4)和CCD探测器(5)组成；第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统：当被测硅片(3)位于4f系统的共焦面上时，准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后仍为平面波前，并通过衍射光栅(4)形成其泰伯自成像；当被测硅片(3)离焦时，光束准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后为球面波前，衍射光栅(4)的泰伯自成像的周期和位相产生差异，通过CCD探测器(5)完成平面和球面波前的泰伯自成像测量，即可完成硅片的检焦测量。
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