[发明专利]滤屏与中子束源有效
申请号: | 201410500415.5 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104575653B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 薛燕婉;游镇帆 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;薛燕婉 |
主分类号: | G21G4/02 | 分类号: | G21G4/02;A61N5/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种滤屏与中子束源。滤屏包括第一层,由铁组成;第二层,由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝与50至80体积份的氟化铝组成;以及第三层,由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组成,其中第二层位于第一层与第三层之间。 | ||
搜索关键词: | 中子 | ||
【主权项】:
一种滤屏,包括:第一层,由铁组成;第二层,由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝与50至80体积份的氟化铝组成;以及第三层,由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组成,其中该第二层位于该第一层与该第三层之间。
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