[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201410503154.2 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN104518768A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 堀口健一;广部正和;美保谕志;佐佐木善伸;山本和也 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于,具有:将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16);与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18);一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30);多条输出路径(34);与该第1电容器的另一端连接,并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32);以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40),该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:功率放大器,其将多个频带的RF信号进行放大;输出匹配电路,其与所述功率放大器的输出连接;第1电容器,其一端与所述输出匹配电路的输出连接;多条输出路径;开关,其与所述第1电容器的另一端连接,根据频带使所述RF信号进入所述多条输出路径中的某一条;以及多个第2电容器,其具有分别与所述多条输出路径串联连接的第2电容器,所述第1电容器和所述多个第2电容器中的至少一方,与所述开关由同一单片微波集成电路构成。
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