[发明专利]在导线间形成空气间隙的方法

摘要

本发明提供一种在导线间形成空气间隙的方法，包括在基板上的导线结构表面形成氮化硅衬层，再形成覆盖所述氮化硅衬层的多晶硅超薄衬层，然后在导线结构之间的沟道内形成顶面低于导线结构的顶面的光刻胶。接着，共形地形成覆盖光刻胶与多晶硅超薄衬层的表面的氧化层，并非等向性蚀刻所述氧化层，以于光刻胶上方的导线结构侧壁形成氧化物间隙壁。之后，移除所述光刻胶，以露出沟道内的多晶硅超薄衬层，并以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的多晶硅超薄衬层。然后，移除氧化物间隙壁，再氧化剩余多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。

主权项

1.一种在导线间形成空气间隙的方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上形成有多数条导线结构，其中每个所述导线结构至少包括导体层以及位于所述导体层顶部的盖层；于所述导线结构的表面形成氮化硅衬层；于所述导线结构上形成多晶硅超薄衬层，覆盖所述氮化硅衬层，所述多晶硅超薄衬层的厚度在10纳米以下；在所述导线结构之间的沟道内填满光刻胶；移除部分所述光刻胶，使所述光刻胶的顶面低于所述导线结构的顶面；在所述导线结构上共形地形成氧化层，覆盖所述光刻胶与所述多晶硅超薄衬层的表面；非等向性蚀刻所述氧化层，以于所述光刻胶上方的所述导线结构侧壁形成氧化物间隙壁；移除所述光刻胶，以露出所述沟道内的所述多晶硅超薄衬层；以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的所述多晶硅超薄衬层；移除所述氧化物间隙壁，以露出所述多晶硅超薄衬层；以及氧化所述多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。