[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410503435.8 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104299998A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郑志星;乔伊·迈克格雷格;吉扬永 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件的制作方法包括：在半导体衬底上制作LDMOS器件的栅极区；采用一掩膜将第一型掺杂物质以一定角度倾斜注入半导体衬底；采用相同的掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底，其中倾斜注入形成的区域和垂直注入形成的区域共同用于形成LDMOS器件的体区；以及制作LDMOS器件的源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区为不同于第一型掺杂的第二型掺杂。该方法和器件具有热预算低，导通电阻低和击穿电压高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作横向金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)器件的方法，包括：在半导体衬底上制作栅极区；采用一掩膜将第一型掺杂物质以一定角度倾斜注入半导体衬底；采用相同的掩膜将第一型掺杂物质垂直注入半导体衬底，其中倾斜注入形成的区域和垂直注入形成的区域共同用于形成LDMOS器件的体区；以及制作源极区和漏极接触区，其中源极区和漏极接触区具有不同于第一型掺杂的第二型掺杂。
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