[发明专利]一种铜柱凸点结构的封装工艺

摘要

本发明所述一种铜柱凸点结构的封装工艺，包括以下步骤：在半导体衬底上设置金属焊盘，所述金属焊盘的四周设有钝化层，所述钝化层覆盖于衬底上；利用磁控溅射设备在金属焊盘上沉积凸点下金属化层；采用光刻法和电镀工艺在凸点下金属化层上沉积铜柱；再通过超声焊接的方式将芯片倒装焊接在铜柱上，所述芯片上设置金属焊盘。本发明采用已有倒装焊设备的超声焊工艺实现铜柱与芯片之间的连接，铜柱上无需设置焊料凸点，避免因金属间化合物的形成而导致结构失效，从而提高了铜柱凸点结构的可靠性和耐用性。同时，还降低了凸点制作成本，减少封装流程，提高封装工艺的效率。

主权项

一种铜柱凸点结构的封装工艺，其过程包括如下步骤：a.提供带有金属焊盘及钝化层的半导体衬底，所述钝化层覆盖于衬底上，并有选择性地刻蚀所述钝化层，使其形成窗口以露出金属焊盘；b.利用磁控溅射在上述半导体衬底上沉积凸点下金属化层，所述凸点下金属化层覆盖于钝化层及金属焊盘上；c.利用匀胶机在上述凸点下金属化层的表面涂布初级光刻胶层，并利用光刻工艺使初级光刻胶层图形化，以形成铜柱窗口图形；d.利用电镀工艺在上述窗口图形内沉积铜柱；e.利用去胶工艺去除光刻胶层，以露出凸点下金属化层的表面；f.利用刻蚀工艺去除铜柱四周多余的凸点下金属化层；g.利用已有倒装焊设备的超声焊工艺实现铜柱与芯片之间的连接。