[发明专利]包括鳍形场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410505130.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104517857B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | B.J.奥布拉多维克;R.C.鲍恩;M.S.罗德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了包括鳍形场效应晶体管(finFET)的集成电路器件及其形成方法。该方法可以包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；以及在基板上形成邻近沟道区的源/漏区域。该方法还可以包括形成接触沟道区的侧壁和源/漏区域的侧壁的阻挡层，阻挡层可以包括SixGe1‑x，并且x可以在约0.05至约0.2的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 场效应 晶体管 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍形场效应晶体管的方法，该方法包括：在基板上形成包括锗的鳍形沟道区；在所述基板上形成邻近所述沟道区的源/漏区域；在所述沟道区和所述源/漏区域之间形成接触所述沟道区的侧壁和所述源/漏区域的侧壁的阻挡层，其中所述阻挡层包括SixGe1‑x，并且x在0.05至0.2的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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