[发明专利]液晶面板以及液晶面板的制造方法有效
申请号: | 201410505323.6 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104345510B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 封宾;洪永泰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明的液晶面板以及液晶面板的制造方法,其中,液晶面板包括阵列基板以及对盒基板,阵列基板上包括多个TFT,至少一个TFT所占的区域中包括内含有沟道区域的不透光区域,沟道区域的边界与不透光区域的边界之间在平行于液晶面板的方向上的距离大于或等于设定距离d。本发明的液晶面板的制造方法,包括计算沟道区域的边界与不透光区域的边界之间在平行于液晶面板的方向上的最小距离d’。本发明的技术方案有效防止TFT在使用中快速劣化,由此提升液晶面板的设计、生产效率。利用本发明的液晶面板的制造方法制造出来的相关产品,其结构更加合理,产品特性更为优异。 | ||
搜索关键词: | 液晶面板 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种液晶面板,包括阵列基板以及与所述阵列基板对盒的对盒基板,所述阵列基板上设置有多条数据线及多条栅线,所述多条数据线与所述多条栅线交叉限定多个像素区域;所述阵列基板上还包括多个TFT,其特征在于,至少一个所述TFT所占的区域中包括内含有沟道区域的不透光区域,所述沟道区域的边界与所述不透光区域的边界之间在平行于所述液晶面板的方向上的距离大于或等于设定距离d;所述设定距离d为:d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>其中,nair为空气的折射率,ncell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率;H为所述阵列基板的第一衬底基板内表面与所述对盒基板的第二衬底基板的内表面之间的距离或所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层的厚度数值g、阵列基板上栅绝缘层高度k、源/漏电极保护层高度h三者的和;I为每一像素区域内,所述沟道区域相邻接的不透光结构的面向所述对盒基板的表面与所述对盒基板的第二衬底基板内表面之间的垂直距离;α取值为0°或θ,θ为光线由所述阵列基板射至所述对盒基板的与所述阵列基板相对的表面时的反射角的漫反射增量;或者,所述设定距离d为:d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>其中,nair为空气的折射率,ncell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率;H为所述阵列基板的第一衬底基板内表面与所述对盒基板的第二衬底基板的内表面之间的距离或所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层的厚度数值g、阵列基板上栅绝缘层高度k、源/漏电极保护层高度h三者的和;α取值为0°或θ,θ为光线由所述阵列基板射至所述对盒基板的与所述阵列基板相对的表面时的反射角的漫反射增量;I=H‑t,t为阵列基板上的TFT的高度,所述TFT的高度为所述TFT的最顶层不透光层的顶表面与所述阵列基板的第一衬底基板内表面之间的距离;或者,所述设定距离d为:d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>其中,nair为空气的折射率,ncell为所述液晶面板的平均折射率或所述阵列基板的第一衬底基板的折射率;H为所述阵列基板的第一衬底基板内表面与所述对盒基板的第二衬底基板的内表面之间的距离或所述阵列基板与所述对盒基板之间的液晶层的厚度数值g、阵列基板上栅绝缘层高度k、源/漏电极保护层高度h三者的和;I为每一像素区域内,所述沟道区域相邻接的不透光结构的面向所述对盒基板的表面与所述对盒基板的第二衬底基板内表面之间的垂直距离;α取值为0°或θ,所述θ为光线由所述阵列基板射至所述对盒基板的与所述阵列基板相对的表面上的黑矩阵时的反射角的漫反射增量。
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