[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410508432.3 申请日: 2014-09-28
公开(公告)号: CN104517574B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 远藤一哉 申请(专利权)人: 辛纳普蒂克斯日本合同会社
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 秦琳;陈岚
地址: 日本东京都中*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,涉及抑制由于电源噪声而变动的基准电压对多个电路单元的不良影响。本发明的半导体装置由基准电压发生电路生成基准电压,将所生成的相同基准电压用于在多个电路单元中生成电压,其中,为了向电路单元施加基准电压而设置基准电压的采样保持电路,在控制采样保持电路的采样保持控制电路中,在所述基准电压发生电路的电源噪声收敛于规定范围的状态下所述半导体装置动作时,指示所述采样保持电路进行所述基准电压的采样动作,在所述电源噪声超过规定范围的状态下所述半导体装置动作时,指示所述采样保持电路进行所述基准电压的保持动作。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,含有:第1电路单元;基准电压发生电路,其产生基准电压;所述基准电压的采样保持电路;采样保持控制电路,其控制所述采样保持电路;以及多个第2电路单元,其输入由所述采样保持电路进行了采样保持的基准电压而进行动作,所述半导体装置的特征在于,当所述半导体装置在所述基准电压发生电路的电源噪声收敛于规定范围的状态下动作时,所述采样保持控制电路指示所述采样保持电路进行所述基准电压的采样动作,当所述半导体装置在所述电源噪声超过规定范围的状态下动作时,所述采样保持控制电路指示所述采样保持电路进行所述基准电压的保持动作。
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