[发明专利]一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法

摘要

本发明公开了一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法，通过在对PMOS源漏凹槽内采用选择性外延生长应变硅锗合金应力层前，先在平面的半导体基底上外延生长一层硅锗合金层和单晶硅层，然后，再以此硅锗合金层作为基底，在其上采用选择性外延的方法继续生长应变硅锗合金应力层，避免了在后续外延生长应变硅锗合金应力层时锗和基底硅的直接接触，从而抑制了在SiGe/Si界面处形成缺陷的现象，在确保对PMOS器件的沟道施加适当的应力的同时，又能够抑制现有技术存在的由于SiGe/Si界面处存在缺陷而引起的结漏电现象，进而提高PMOS器件的整体电学性能，并可与现有的工艺很好地兼容。

主权项

一种用于制作嵌入式硅锗应变PMOS器件的方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一平面半导体基底，在所述半导体基底上依次形成硅锗合金层和单晶硅层；步骤二：形成浅沟槽隔离、栅极及侧墙，所述浅沟槽隔离停留在所述半导体基底；步骤三：形成PMOS源漏凹槽，所述源漏凹槽停留在所述硅锗合金层；步骤四：在所述源漏凹槽内继续生长硅锗合金层，以在PMOS源漏区域形成应变硅锗合金应力层。