[发明专利]半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路有效
| 申请号： | 201410510792.7 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104270844A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郑昌茂 | 申请（专利权）人： | 贵州省兴仁县昌茂电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B6/06 | 分类号： | H05B6/06 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人： | 袁庆云 |
| 地址： | 562300 贵州省黔西南布依*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，其特征在于：包括电容C1,C3,C4,电感L1,加热线盘P1-P4,IGBT功率管DA,IGBT功率管DB,桥式整流器U。本发明能使电磁炉的使用寿命延长，且使用安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 igbt 功率管 性能 电磁炉 控制电路 | ||
【主权项】：
一种半桥结构双栅IGBT功率管高性能电磁炉控制电路，包括电容、电感、加热线盘、IGBT功率管及桥式整流器，其特征在于：IGBT功率管为2根。
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