[发明专利]一种抛光及清洗晶圆的半导体设备及方法在审
| 申请号： | 201410512508.X | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529284A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种抛光及清洗晶圆的半导体设备，包括前端模组、测量模组、CMP抛光模组和清洗模组，在清洗模组中设置有EKC清洗单元，能够对放入其内的晶圆进行EKC溶液的清洗处理，通过轻微剥蚀晶圆表面的部分区域，从而连带地去除成分复杂且顽固附着在晶圆表面的污染成分，达到了清洁晶圆、提高晶圆良率的良好效果。同时，本发明还提出了一种抛光及清洗晶圆的方法，该方法包括抛光和清洗两大部分，其中在清洗部分，又包括了兆声波清洗、Brush清洗、EKC清洗和IPA干燥四道工序，不仅完成了传统清洗流程的各项常规清洗工序，还通过EKC清洗工序进一步提高了清洗的洁净效果，有助于产品良率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 清洗 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光及清洗晶圆的半导体设备，其特征在于，包括：前端模组，所述前端模组用于传递和存放晶圆；测量模组，所述测量模组用于测量晶圆的介质层厚度；CMP抛光模组，所述CMP抛光模组对晶圆进行CMP研磨；清洗模组，晶圆在所述清洗模组内接受清洗处理；其中，所述清洗模组内包含有EKC清洗单元，晶圆在所述EKC清洗单元内被EKC溶液清洗处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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