[发明专利]具有均匀图案密度的混合接合有效
| 申请号： | 201410512753.0 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104952747B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈思莹;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片，包括：半导体衬底、至少部分位于半导体衬底内的集成电路以及位于集成电路上方的表面介电层。多个金属焊盘基本上均匀地分布在芯片的基本上整个表面上。多个金属焊盘的顶面与表面介电层的顶面在同一水平面上。多个金属焊盘包括有源金属焊盘和伪金属焊盘。有源金属焊盘电连接至集成电路。伪金属焊盘从集成电路电分离。本发明还涉及具有均匀图案密度的混合接合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 图案 密度 混合 接合 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一芯片，包括：半导体衬底；以及第一集成电路，所述第一集成电路的至少部分位于所述半导体衬底内；第一表面介电层，位于所述第一集成电路上方；以及多个第一金属焊盘，均匀地分布在所述第一芯片的整个表面上，其中，所述多个第一金属焊盘的顶面与所述第一表面介电层的顶面在同一水平面上，并且其中，所述多个第一金属焊盘包括：第一有源金属焊盘，电连接至所述第一集成电路；以及第一伪金属焊盘，与所述第一集成电路电分离；其中，所述第一芯片包括密封环，所述密封环的边缘邻近所述第一芯片的相应边缘，并且所述第一伪金属焊盘的一个与所述密封环重叠；第二芯片，包括：多个第二金属焊盘，均匀地分布在所述第二芯片的整个表面上，所述多个第一金属焊盘的顶视尺寸与所述多个第二金属焊盘的顶视尺寸不同，以在所述第一芯片和所述第二芯片接合偏移时使得接触电阻不变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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