[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201410512828.5 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104518064B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 丁星好;成演准;宋炫暾 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光器件和具有该发光器件的发光器件封装，所述发光器件包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上。所述下折射层包括在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率的第一下折射层；以及在所述第一下折射层的外表面上具有低于所述第一折射率的第二折射率的第二下折射层，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末。本发明的发光器件可以提高外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：半导体结构层，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和布置在所述有源层上的第二导电半导体层；以及多个下折射层，布置在所述半导体结构层的外表面上，其中所述下折射层包括：第一下折射层，在所述半导体结构层的表面上，具有低于所述半导体结构层的折射率的第一折射率；以及第二下折射层，在所述第一下折射层的外表面上，具有低于所述第一折射率的第二折射率，所述第二下折射层的所述第二折射率为1.5或更小，所述第二下折射层在其外表面上布置有多个突起，以及所述第二下折射层包括多个金属氧化物粉末，其中所述第二下折射层的外表面具有带所述多个突起的粗糙表面，其中所述半导体结构层的外表面包括所述半导体结构层的多个侧表面和顶面，其中所述多个突起从所述第二下折射层的外表面向外突出，其中每个所述金属氧化物粉末包括具有1.49或更小的折射率的材料。
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