[发明专利]一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法有效
申请号: | 201410513165.9 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN104233432A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 姚忠平;夏琦兴;李超楠;姜兆华 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C25D11/30 | 分类号: | C25D11/30 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法,它涉及一种镁锂合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有镁锂合金自身存在低红外辐射率,不能应用在热控系统中的问题。步骤:一、镁锂合金前处理;二、微弧氧化,得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层。本发明制备的涂层与基体结合良好,抗热震性能好,太阳吸收比为0.22~0.40,辐射率达0.9~0.97。本发明拓宽了镁锂合金在空间领域的应用范围,而其重量相比于铝基涂层减少30%~40%。本发明可获得一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 表面 原位 生长 太阳 吸收 比高 红外 辐射 陶瓷 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法,其特征在于一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法具体是按以下步骤完成的:一、镁锂合金前处理:首先依次使用240#水磨砂纸、400#水磨砂纸和1000#水磨砂纸对镁锂合金进行打磨处理,再依次使用丙酮和去离子水清洗打磨后的镁锂合金,电吹风吹干,得到处理后的镁锂合金;二、微弧氧化:将处理后的镁锂合金置于不锈钢电解槽中,处理后的镁锂合金与电源的正极相连接,作为阳极,不锈钢电解槽与电源的负极相连接,作为阴极;再采用脉冲微弧氧化电源供电,在电流密度为1 A·dm‑2~30 A·dm‑2,正向电压300V~650V,电源频率50Hz~2000Hz,占空比10%~60%,电解液的温度为10℃~40℃和电解液的pH值为8.5~14.0的条件下进行微弧氧化反应5min~60min,得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层;步骤二中所述的电解液由主成膜剂和辅助成膜剂组成,溶剂为水;所述的电解液中主成膜剂的浓度为1g/L~20g/L,辅助成膜剂的浓度为0.1g/L~20g/L。
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