[发明专利]加工半导体结构的装置

摘要

本发明揭示了一种加工半导体结构的装置，包括第一机械手、晶圆缓存台、第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔、清洗腔、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔。第一机械手在晶圆缓存台、预加热腔及后冷却腔之间传送晶圆；晶圆缓存台放置晶圆；第二机械手在晶圆缓存台、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔之间传送晶圆；膜厚测量装置寻找晶圆上的缺口并测量晶圆上金属层的厚度；电化学抛光腔电化学抛光晶圆；清洗腔清洗和干燥晶圆；预加热腔加热晶圆；第三机械手在预加热腔、干法气相刻蚀腔及后冷却腔之间传送晶圆；干法气相刻蚀腔干法气相刻蚀晶圆；后冷却腔冷却晶圆。本发明的装置结构紧凑，占地面积小，工艺效率高，降低了加工半导体结构的成本。

主权项

1.一种加工半导体结构的装置，所述半导体结构包括形成在晶圆上的电介质层、位于电介质层上的阻挡层、位于阻挡层上的金属层，该半导体结构还包括形成在电介质层上的图案，图案内有所述阻挡层，所述金属层填充图案，其特征在于，该装置包括第一机械手、晶圆缓存台、第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔、清洗腔、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔，其中：第一机械手，在晶圆缓存台、预加热腔及后冷却腔之间传送晶圆；晶圆缓存台，放置晶圆；第二机械手，在晶圆缓存台、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔之间传送晶圆；膜厚测量装置，寻找晶圆上的缺口并测量晶圆上金属层的厚度；电化学抛光腔，电化学抛光晶圆，去除晶圆上非凹陷区域上的金属层；清洗腔，清洗和干燥晶圆；预加热腔，加热晶圆；第三机械手，在预加热腔、干法气相刻蚀腔及后冷却腔之间传送晶圆；干法气相刻蚀腔，干法气相刻蚀晶圆，去除晶圆上非凹陷区域上的阻挡层；后冷却腔，冷却晶圆；该装置分为干法区域和湿法区域，干法区域包括第一机械手、预加热腔、第三机械手、干法气相刻蚀腔及后冷却腔，湿法区域包括第二机械手、膜厚测量装置、电化学抛光腔及清洗腔，干法区域与湿法区域之间通过晶圆缓存台实现晶圆的传送。