[发明专利]半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置在审
| 申请号： | 201410513649.3 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529245A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 丁敬秀;金滕滕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上方设置掩模版；在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬底接受激光照射的区域形成氧化物图形。本发明半导体结构的形成方法中，在含有氧气的环境下，氧化物图形为激光透过掩模版后照射衬底直接形成，不需要进行涂布光刻胶以及刻蚀过程，简化了氧化物图形的形成工艺，节省了生产成本。本发明提供的半导体结构的形成装置能够应用于本发明提供的半导体结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方设置掩模版；在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬底接受激光照射的区域形成氧化物图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
