[发明专利]DRAM器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种DRAM器件及其形成方法，其中DRAM器件的形成方法包括：提供衬底；形成第一栅极以及第二栅极；形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极，形成电介质层以及金属层，电介质层，以与通道晶体管的源极或者漏极共同形成电容器。DRAM器件包括：衬底、通道晶体管、电容器以及逻辑晶体管，晶体管源极或者漏极上依次形成有电介质层和金属层，源极或者漏极、所述电介质层以及所述金属层用于构成电容器。本发明的有益效果在于，过在通道晶体管的源极或者漏极上形成电介质层以及金属层来形成存储器件的电容器，不需要像现有技术一样专门在衬底中形成深沟槽来形成电容器，简化了制作过程，减小了制作难度并且与常规制造流程的兼容性更好。

主权项

1.一种DRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储器件区以及至少一个逻辑器件区；在所述衬底的逻辑器件区以及存储器件区中分别形成第一栅极以及第二栅极；分别在所述逻辑器件区中的第一栅极两侧的衬底，以及存储器件区中的第二栅极的两侧的衬底中形成凹陷，在所述凹陷中填充材料层，以分别形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极；在所述通道晶体管的源极或者漏极上依次形成电介质层以及金属层，所述电介质层、金属层与所述通道晶体管的源极或者漏极用于构成电容器；其中，形成第一栅极以及第二栅极的步骤包括：所述第一栅极以及第二栅极分别为第一伪栅和第二伪栅；分别形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极的步骤之后，所述形成方法还包括：去除所述第一伪栅和第二伪栅，并在所述第一伪栅和第二伪栅的位置形成第一金属栅极和第二金属栅极；去除第一伪栅以及第二伪栅的步骤包括：在所述衬底上形成覆盖所述第一栅极以及第二栅极的介质层；平坦化所述介质层使所述第一栅极以及第二栅极从所述介质层露出；去除部分所述介质层，以露出所述通道晶体管的源极和漏极的其中之一；刻蚀以去除所述第一栅极以及第二栅极，以在所述介质层中形成第一开口和第二开口；形成所述第一金属栅极以及第二金属栅极的步骤包括：在所述第一开口、第二开口底部以及所述露出的通道晶体管的源极或者漏极表面形成电介质材料，其中，位于第一开口、第二开口底部的电介质材料分别为所述第一栅极和第二栅极的栅介质层，位于所述露出的存储器件区中的源极或者漏极表面的电介质材料为所述电容器的电介质层；在所述第一开口、第二开口中以及所述电介质层上形成金属材料层，其中位于第一开口、第二开口中的金属材料层形成所述第一金属栅极和第二金属栅极，位于所述电介质层上的金属材料层形成所述电容器的金属层。