[发明专利]一种光刻胶清洗液有效
| 申请号： | 201410514269.1 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105527803B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;黄达辉;郑玢;孙广胜;张炜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺(b)醇醚(c)水(d)连苯三酚及其衍生物(e)多元醇(C3‑C6)。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够容易快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶及其残留物；并且对于基材基本没有攻击，如金属铝/铜/金/银/钛/钨，非金属二氧化硅等。本发明的清洗液在LED及半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种光刻胶清洗液，含有水、醇胺、醇醚，其特征在于，所述光刻胶清洗液还包括连苯三酚及其衍生物和C3‑C6多元醇。
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