[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器装置及其制造方法，包括提供包括一阵列区的一基板。在基板的阵列区上形成至少两个多晶硅栅极堆叠结构。在上述至少两个多晶硅栅极堆叠结构之间形成一绝缘层。上述至少两个多晶硅栅极堆叠结构之间的绝缘层上具有一沟槽。在沟槽的侧壁及底部顺应性地形成一第一金属层。在沟槽中填入一保护层以覆盖第一金属层。在上述至少两个多晶硅栅极堆叠结构及保护层的顶部表面上形成一第二金属层，使第一金属层及第二金属层包围保护层。本发明的金属层可有效解决非易失性存储器装置效能劣化或电性失效的问题。

主权项

1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：一基板，包括一阵列区；至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构，位于该基板的该阵列区上；一绝缘层，位于该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间，且在该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构之间的该绝缘层上具有一沟槽；一第一金属层，位于该沟槽的侧壁及底部上；一第一保护层，位于该沟槽中及该第一金属层之上；以及一第二金属层，位于该至少两个第一多晶硅栅极堆叠结构及该第一保护层的顶部表面上，使该第一金属层及该第二金属层包围该第一保护层。