[发明专利]一种基于核壳量子点分子印迹聚合物及其用途

摘要

本发明属于分子印迹荧光探针制备技术领域，特别涉及一种CdTe/CdS量子点‑分子印迹聚合物(QDs‑MIP)，并以此作为荧光探针应用于全氟辛酸的检测分析。本发明要解决的技术问题提供一种快速、简便、灵敏、高选择性检测全氟辛酸的方法。本发明提供了一种量子点表面全氟辛酸分子印记聚合物及其应用。该聚合物将分子识别位点嵌入TEOS包被的CdTe/CdS量子点表面，以全氟辛酸为模板分子制备得到的荧光分子印记聚合物。本发明所制备的分子印记聚合物具有灵敏度高、检测简便，高选择性、高亲和力等优点，可直接用于检测环境中的全氟辛酸，既可以降低检测的成本，又能够提高检测的效率。

主权项

一种基于核壳量子点分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：（1）CdTe/CdS 量子点的制备：在氮气环境下，将碲粉、过量硼氢化钠加入到去离子水中，反应得到无色 NaHTe；将CdCl 2 ·2.5H 2 O 加入到去离子水中，加入巯基乙酸后用氢氧化钠调 pH 为 10.5～11.5，加入NaHTe，通氮气，加入稀硫酸，无氧回流得到 TGA‑CdTe QDs，加入硫代乙酰胺，无氧回流，得 CdTe/CdS 量子点；（2）CdTe/CdS@MIPs 的制备：将全氟辛酸、CdTe/CdS 量子点和 3‑氨丙基三乙氧基硅烷搅拌反应 15～45min，然后加入TEOS，质量分数为 25%的氨水，搅拌反应 10～14h，将合成的分子印迹聚合物离心，用甲醇洗涤若干次，直至上清溶液检测不到全氟辛酸的存在，然后用水洗涤，离心沉淀，即得碲化镉核壳量子点表面对全氟辛酸印迹聚合物 CdTe/CdS@MIPs，真空干燥备用；全氟辛酸︰CdTe/CdS︰APTES︰TEOS︰氨水的摩尔比＝24︰3.0～3.5︰170︰340～380︰1300～1400。