[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201410520307.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104518058B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朴赞槿 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光器件，包括：第一半导体层，掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，掺杂有p型掺杂剂；有源层，布置在第一半导体层与第二半导体层之间，所述有源层由InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)形成并包括多个势垒层和多个阱层，所述阱层插在所述势垒层之间并具有比势垒层小的带隙能量；中间层，插在所述有源层与所述第二半导体层之间，所述中间层由InaAlbGa1‑a‑bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)形成并具有比所述势垒层小的带隙能量；以及阻挡层，布置在所述中间层与所述第二半导体层之间，所述阻挡层由InzAlwGa1‑z‑wN(0≤z≤1，0≤w≤1，0≤z+w≤1)形成并具有比所述势垒层和所述中间层中的每层大的带隙能量。本发明能够提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 势垒层 中间层 带隙能量 源层 发光器件 阻挡层 阱层 掺杂 发光效率 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一半导体层，掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，掺杂有p型掺杂剂；有源层，布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述有源层由InxAlyGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)形成并包括多个势垒层和多个阱层，所述阱层插在所述势垒层之间并具有比所述势垒层小的带隙能量；中间层，插在所述有源层与所述第二半导体层之间，所述中间层由InaAlbGa1‑a‑bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)形成并具有比所述势垒层小的带隙能量；以及阻挡层，布置在所述中间层与所述第二半导体层之间，所述阻挡层由InzAlwGa1‑z‑wN(0≤z≤1，0≤w≤1，0≤z+w≤1)形成并具有比所述势垒层和所述中间层中的每层大的带隙能量；以及其中所述中间层与所述阻挡层相接触；所述阱层和所述势垒层中的每层具有4至20nm的厚度；所述中间层具有0.02至0.13的Al组成比。
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